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为实现对高功率半导体激光器快速、有效、无损的质量检测和可靠性筛选,对器件进行了电导数和光导数测试及分析。结果表明高功率半导体激光器的结电压饱和特性与其质量和可靠性紧密相关。结电压饱和特性不好的器件一般
通过分析高功率线阵半导体激光器(DL)的激光输出特性,设计了-套光束变换装置,可将10 mm宽的线阵DL激光耦合进单根光纤中.变换过程如下:首先用微柱透镜对DL的快轴方向准直,然后利用微台阶反射镜,通
为了提高980 nm半导体激光器的出光功率,在外延结构中加入了扩展波导,并优化了激光器的垒层厚度和波导层组分,将光场以有源区为中心的对称分布转化为以扩展波导和有源区同为中心的对称分布,降低了有源区限制
日本冲电气工业公司和东北大学的研究组研制成微血管吻合手术用的长波(1.3 μm)半导体激光器组件。它在世界上率先使用光通信用的高功率半导体激光器。组件具有小型、轻量、价低、耗电省、便携等诸多特点,可广
作为光纤传输系统用的光源,在比GaAs/AlGaAs半导体激光振荡波长(0.8~0.9)长的波段范围里振荡的半导体激光器的研制,最近非常活跃。对此,可以认为有下列背景。
自1962年第一只半导体激光器成功问世以来,这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向,成为现代工业的变革性力量,是各国
随着通信行业的快速扩张以及光互联、片上实验室等技术的发展,人们对激光器等器件集成化、小型化的需求日益增长。半导体纳米线激光器由于其独特的一维结构与灵活的带隙调控性能等特点,在微纳激光器领域受到广泛研究
激光(Laser)是“受激辐射光放大”的简称,是一种亮度极高、方向性和单色性很好的相干光辐射。产生激光的跃迁过程是:自发辐射、受激吸收与受激辐射,可以用一个简单的两能级系统来定性说明,如图1所示。在这
半导体激光器论文资料 ,同属一篇文献的引文,英文的,很有用
半导体激光器方面的经典基础教材，希望对大家有所帮助
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