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强光注入锁定半导体激光器的理论分析
最初在室温下连续振荡的半导体激光器是GaAlAs-GaAs激光器。这种激光器,其振荡波长与当时的光纤的低耗损区一致,所以曾有许多人用以从事于光通信的研究。以后,随着光纤技术的进步,其损耗最低的波段移向
用于半导体激光器的温控电路设计，制冷模块是TEC
改变外色散腔半导体激光器的温度、电流和腔长,可实现复盖调谐范围内的连续调谐和准确调谐.本文叙述连续调谐和准确调谐的原理与实验结果.
本文对外色散腔半导体激光器单模工作条件及机理进行了理论分析和实验研究。采用将多纵模输出的半导体激光二极管置于外色散腔内,不论二极管表面镀不镀增透膜,都实现了室温连续稳定单纵模运转。激光线宽小于50MH
结温/热阻是反映激光器器件散热能力的综合参数,与封装焊料层的烧结质量关系密切。本文分别通过正向电压法和波长漂移法,测试计算得到激光器的工作结温,利用扫描声学显微镜分析了激光器焊料层中空洞分布;验证了结
日本国际电信电话公司研究所采用将阴性型光致抗蚀剂与阳性型光致抗蚀剂同时以双光束干涉曝光的全新方法,研制成原理上一定从单波长振荡的分布反馈半导体激光器。
在砷化镓衬底上设置两个突起,把激活层减薄至0.05微米,由此可以得到世界最高水平的单横模、高功率(25毫瓦)半导体激光器“MEL4744”。这是松下电子工业公司最近研制成功的。这种称为双峰衬底(TRS
由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器,故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.
Analysis in this paper shows that a harmonic measurement method can be used to determine accurately
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