采用射频磁控溅射与电子束蒸发的方式, 制备了ZnO/Ag/ZnO三层复合薄膜, 研究了Ag薄膜厚度以及电子束蒸发的沉积速率对复合薄膜光电性能的影响。实验结果表明, 当Ag薄膜厚度为8 nm、电子束蒸发的沉积速率为0.5 nm·s-1时, 复合薄膜的性能最优, 其方块电阻为6.01 Ω,波长400~800 nm范围内的光平均透过率为91.39%。优化后的ZnO/Ag/ZnO复合薄膜具有良好的光电特性。