磁控溅射制备氢掺杂氧化锌薄膜的掺杂性能研究

掺杂GaSb薄膜的光学性质，刘雪，王登魁，采用分子束外延技术在GaAs衬底上异质外延N型Te-GaSb薄膜，用低温光致发光谱分析掺杂对GaSb薄膜发光的影响。对于N型Te-GaSb，Te原子会占据S

Sol-gel法制备锑掺杂二氧化锡纳米颗粒与性能研究，李志刚，钱春香，以四氯化锡（SnC14•5H2O）和三氯化锑（SbC13）为原料，制备锑掺杂二氧化锡（简称ATO）溶胶。利用傅立叶红外光谱仪表征了

铜掺杂ZnS/DFHMA-co-MAA纤维复合材料的制备及其光催化水制氢性能的研究，范文娟，周正发，摘要：通过溶液聚合的方法制备了甲基丙烯酸与甲基丙烯酸十二氟庚酯羧基氟碳共聚物(DFHMA-co-MA

Al掺杂ZnO纳米棒阵列的制备及光学性能研究，丁琼琼，方庆清，采用水热法结合溶胶-凝胶技术在SiO2基片上制备了不同Al含量掺杂的ZnO纳米棒阵列．通过X射线衍射仪(XRD)，电子扫描显微镜（SEM）

Sc掺杂BaZrO3质子导体的制备及性能研究，任建勋，郭瑞松，采用传统固相法制备了BaZr1-xScxO3-0.5x粉体（x=0.07、0.10、0.13、0.16），并以ZnO作为助烧剂，在1450

缓冲层退火对氧化锌薄膜结晶性质的影响，杨建增，梁红伟，利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上先制备一薄层氧化锌，而后将其在不同温度的氮气氛围下进行退火处理来制备氧化锌缓

工作功率对射频磁控溅射沉积硼薄膜性能的影响

用直流磁控溅射法制备透明导电锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜,靶材为ITO陶瓷靶,组分为m(In2O3):m(SnO2 )=9:1。运用分光光度计、四探针测试仪研究了基底温度对薄膜透过率、电阻率的影响,并用

氧化锌/石墨烯复合材料的水热制备及其光催化性能，马晶，褚佳，基于石墨烯优异的电子传输特点，本文以石墨烯为载体，醋酸锌为半导体前驱体，通过水热法制备了氧化锌/石墨烯复合材料。对所合成�

在这项研究中,Al-N共掺杂型氧化锌(ZnO)薄膜在N2和O2气体与陶瓷ZnO:(2 wt%Al2O3)的溅射靶中使用DC-沉积在Si和均质缓冲层模板上磁控溅射。 双θ衍射的X射线衍射光谱表明,所有膜