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离子束溅射沉积氧化镁薄膜的取向竞争研究，李啸，卢会平，用离子束溅射沉积，改变溅射离子束能量、镀膜时间、衬底倾角度，在玻璃衬底上制备了MgO薄膜。用X射线衍射对样品进行了表征，对MgO�
利用SiOxNy薄膜光学常数随化学计量比连续变化的特性,给出了制备折射率连续可调的SiOxNy薄膜的实验条件。用磁控反应溅射法制备了不同氮氧比的SiOxNy薄膜。研究了不同气流比率条件下薄膜光学常数、
摘 要：磁控溅射由于其显著的优点应用日趋广泛，成为工业镀膜生产中最主要的技术之一，相应的溅 射技术与也取得了进一步的发展。 非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布，提高了膜层质量；中 频和脉冲磁控
不同沉积时间对Ti片上制备ZnO薄膜微结构、光学性能及润湿性的影响，张苗，吴明在，在化学抛光的钛片上用阴极沉积法沉积了ZnO纳米棒阵列，通过改变沉积时间控制ZnO纳米棒阵列的生长。扫描电镜结果显示，所
水基电沉积CuInSe2薄膜制备中络合剂对组元沉积电位的影响，李成杰，靳正国，本文给出了一种水基电沉积CuInSe2薄膜过程当中沉积电位变化的研究方法。通过向氯化铜(CuCl2•2H2O)，氯化铟，(
电沉积ZnSe薄膜的合成及性能表征，于兴芝，张成光，首先，从理论上分析了硫酸锌和亚硒酸钠在简单酸性溶液中进行电化学共沉积制备ZnSe薄膜的可行性；然后，在硫酸锌和亚硒酸钠的酸性�
GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。因此，如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。
源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响，毛飞燕，邓宏，利用化学气相沉积(CVD)法，以Zn4(OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源，NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜，研究了样
有许多证据表明，电磁波的平均功率P与与其相互作用的物体的机械运动之间存在关系。我们研究了红外（IR）光的平均功率P对通过原子层沉积法沉积在硅上的薄立方Yb2O3和菱形LaAlO3薄膜的透射傅里叶变换红
射频磁控共溅射制备Li-La-Ti-Zr-O薄膜电解质，农剑，徐华蕊，以Li0.33La0.56TiO3（LLTO）与Li7La3Zr2O12（LLZO）粉末靶材为溅射源，用射频磁控共溅射的方法制备L
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