Ni含量及退火温度对Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜的结构和性能的影响,魏琳琳,孙志刚,采用溶胶凝胶法制备了Ni掺杂In2O3稀磁半导体薄膜。研究表明Ni在In2O3中的溶解度约为10%,在溶解度范围
研究了宝石(γ-Al2O3)衬底上用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)系统生长的不同厚度的c面氮化镓(GaN)薄膜的光学性质。研究发现不同厚度GaN薄膜的吸收截止边均在3.38 eV附近,在它们的光
利用磁控溅射法,在不同的工艺条件下制备氮化钛薄膜。详细分析了不同工艺条件下薄膜的光谱选择特性以及相应的光学常数,通过俄歇电子能谱对薄膜的不同深度的元素成分进行了分析,由原子力显微镜测量并处理得到氮化钛
采用磁控溅射方法在载波片和Al基片上制备了氮化钛薄膜;通过改变N2流量来改变薄膜中N/Ti原子比例。采用分光光度计和扫描隧道显微镜测试手段对氮化钛薄膜光学性能随N2流量变化的规律进行了研究。薄膜反射率
通过射频磁控溅射在硅(1 0 0)衬底上沉积多晶Zn(1-x)Eu(x)O(x = 0,0.02,0.05)薄膜。 研究了薄膜的结构,光学和磁性。 X射线衍射和光致发光光谱的结果都表明Eu(3+)离子
通过电化学沉积法从N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中制备出铜掺杂氧化镍电致变色薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外可见分光光度仪(UV-vis)、傅里叶变换红外光谱仪(F
Ce掺杂对稀土钙钛矿型LaMnO3催化剂的结构和甲烷催化燃烧性能的影响,王晓飞,龚彩荣,以柠檬酸为络合剂采用溶胶-凝胶法制备了La1-xCexMnO3稀土钙钛矿材料,以X射线衍射法(XRD)分析样品的
共掺杂ZnO薄膜中铁磁性的掺杂浓度和退火温度依赖性
稀土Nd掺杂SrTiO3基陶瓷的制备和介电性能研究,伍小翥,刘韩星,本论以稀土Nd掺杂SrTiO3体系为研究对象,深入研究了NdxSr1-xTiO3(x=0.08~0.14)陶瓷的结构和性能。经研究发
p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响