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4H-SiC中拉曼散射的温度和掺杂依赖性
4H-SiC功率UMOSFET的制备与表征
与单角度动态光散射技术相比,多角度动态光散射(MDLS)颗粒测量技术能够提高颗粒粒度分布的测量准确性。但在MDLS技术中,测量角度的选择常常与被测颗粒体系的分布有关。对100 nm、500 nm的单峰
壳聚糖溶液行为研究-温度、分子量、浓度、酸浓度依赖性，陈雄，廖青，本文从壳聚糖纺丝溶液的制备入手，利用乌氏粘度计和本体粘度仪测定了不同浓度、分子量、温度、静置时间、酸浓度、不同种酸作为溶
氢浓度对升华法生长高纯度4H-SiC单晶生长的影响
在这篇综述中，我们描述了双部分散射（DPS）中横向动量依赖性（TMD）的状态。 讨论了TMD DPS的不同区域，并给出了DPS横截面贡献的表达式，这些表达式使用了尽可能多的扰动信息。 然后将区域彼此组
我们研究了由Witten，Sakai和Sugimoto在具有N f简并风味的大型N c QCD模型中CP破坏拓扑θ项的影响。 我们首先计算基态能量密度，拓扑敏感性和最低位介子的质量，并从QCD手性有效
具有场板端接的4H-SiC沟槽栅极MOSFET
声发射测试（AT）是用于结构严重性评估的主要非破坏性测试方法之一。 AE信号的幅度分布以b值表示，到目前为止该值主要用于混凝土结构的强度评估。 假定该值与声发射源到AE传感器之间的传播距离无关。 我们
金红石中OH红外吸收的温度依赖性，杨燕，夏群科，针对前人工作和本文前面章节所涉及到的工作的局限性，本文选择一种简单的矿物-金红石，对其除了进行原位高温实验，还增加了原位�
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