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内容:1 理想二极管的模型 1.1 pn结二极管的V-I特性 1.2 pn结二极管的V-I特性分析 1.3 典型硅pn结二极管的V-I特性 1.4 理想pn结模型 2 双结晶体管的E-M模型 2.1
有关晶体管技术很专业的课本 分为上下两册
场效应管与晶体管的比较 (1)场效应管是电压控制器件,栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流。因此,在信号源额定电流极小的情况,应选用场效应管。 (2)场效应管是多子导电,而晶
现在市场上销售的晶体管,有一种9000系列晶体管,价钱便宜性能也不错,它们的性能怎样? 9000系列塑封晶体管,价钱便宜,性能也不错,所以现在很多电子产品和业余电子制作中都应用这类晶体管。 900
线性调节器式直流稳压电源的主要缺点是串联晶体管的功耗过大。所有的负载电流都必须通过串联晶体管,其功耗等于(Udc-Uo)Io。在多数情况下,串联NPN型晶体管的最小电压差(Udc=Uo)=2.5V。
1.普通达林顿管的检测 普通达林顿管内部由两只或多只晶体管的集电极连接在一起复合而成,其基极b 与发射极e之间包含多个发射结。检测时可使用万用表的R×1 kΩ或R×10 kΩ档来测量。 测量达
本文主要讲述带阻尼行输出管的检测及带阻晶体管的检测。
LM324的晶体管功放
光敏晶体管是指在有光照射时,能输出放大的电信号,当元光照射时便处于截止状态的三极管。该种管子的最大特点是它不但有光电转换作用,而且还能对光信号进行放大。 常用的光敏晶体管有:3DUl1、3DUl2、
MOS晶体管的跨导gm表示交流小信号时衡量MOS器件VGS对IDS的控制能力(VDS恒定)的参数,也是MOS晶体管的一个极为重要的参数。 (忽略沟道长度调制效应,λ=0,在以下分析中,如未出现λ参数,
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