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西安电子科技大学 XIDIDIAN UNIVERSITY V2.0 © 2007 韩孝勇 Han XiaoYong xyhan5151@yahoo.com.cn www.dianzichan.com
报道了一种提取量子点结构耦合电容的改进方法。 该方法基于测量硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的电荷转移电流。在该晶体管中,通过施加具有半周期相位的交流偏置来控制沟道的闭合和断开移
纳米线场效应晶体管模拟，许辉，，摘要 根据自恰密度函数紧束缚方法和非平衡格林函数理论模拟纳米线碳化硅其器件,根据近似弹道模型结合MATLAB软件计算由背栅结构控制�
具有双材料栅极的无结圆柱形环绕栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的准二维阈值电压模型
本文提出了具有垂直高斯分布的全耗尽(FD)绝缘体上硅(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的亚阈值电流。 该模型基于二维Poissons方程和Boltzmann输运方程的解析近似解。
场效应晶体管射频微波建模技术 RF场效应晶体管射频微波建模技术
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的
为抑制短沟道效应和解决载流子传输效率低的问题,提出了部分耗尽异质环栅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 结构(DMSG),并建立了器件的表面电势和阈值电压解析模型。异质环栅由两种具有不同功函
总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电的F
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