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3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进信号的完整性。事实上,当前传统的TSV生产
为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的
28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究，吴天成，程秀兰，随着集成电路工艺的不断发展，芯片的集成度越来越高，需要在一块普通的硅晶圆上集成数以百万计的有源器件（即NMOS晶体管和PMOS晶体�
针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面
Fe晶界上Cu偏聚的分子动力学模拟，用于学习晶界偏聚的MD
HMI技术在电镀作业现场的应用pdf,HMI技术在电镀作业现场的应用
脉冲电镀具有镀件质量好,生产效率高,节约原材料及环保等优点。针对此介绍了基于单片机的数字单脉冲电源在电镀中的应用。阐述了数字单脉冲电源的工作原理,其控制电路简单,组合方便。给出了双CPU结构的控制系统
典型数据类型在32位和64位处理器下的位宽。
钙钛矿氧化物具有介电、铁电、压电、光电、超导、巨磁电阻以及光学非线性等非常丰富的特性与效应［)］. 随着高质量钙钛矿氧化物
Si元素对高Cu/Mg比Al-Cu-Mg合金析出行为的影响，刘路，牛凤姣，本文利用高角度环形暗场扫描透射电子显微镜系统研究了Al-5.0Cu-0.3Mg(wt.%)合金和Al-5.0Cu-0.3Mg-
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