电接枝技术助力高深宽比TSV

随着科学技术快速的发展,电接枝技术在各个当中应用。3D-IC设计者希望制作出高深宽比(HAR>10:1)硅通孔(TSV),从而设计出更小尺寸的通孔,以减小TSV通孔群在硅片上的占用空间,最终改进

在高深宽比TSV的ALD TiN上电镀Cu

为了满足提高MEMS传感器阵列的集成度和精度以及降低成本等需求,对高深宽比的体硅深槽刻蚀方法进行研究。在一种小尺寸、高集成度的MEMS传感器阵列的制造中,需要加工一种深宽比为25 μm/0.8 μm的

硅通孔技术(Through Silicon Via, TSV)技术是一项高密度封装技术,正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术,被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充

28nm高深宽比浅沟道隔离填充工艺颗粒缺陷的研究，吴天成，程秀兰，随着集成电路工艺的不断发展，芯片的集成度越来越高，需要在一块普通的硅晶圆上集成数以百万计的有源器件（即NMOS晶体管和PMOS晶体�

外国高深技术 可作为微型寻迹小车 的参考

JEDEC在1月为宽I/O移动DRAM发布的标准使用穿透硅通孔(TSV)在三维(3D)集成电路上连接DRAM和逻辑。凭借其512位宽的数据接口,在不增加功耗的前提下,JESD229宽I/O单倍数据速率

本讲的预备知识： 首先你应该了解intel汇编语言，熟悉寄存器的组成和功能。你必须有堆栈和存储分配方面的基础知识，有关这方面的计算机书籍很多，我将只是简单阐述原理，着重在应用。其次，你应该了解linu

为分析孙村矿深部2号和4号煤层及其顶板岩层的冲击倾向性,采用了冲击倾向试验和岩体浸水力学试验,对煤岩样的各冲击倾向性指数及其浸水后的强度变化进行了试验研究。结果表明:煤岩均具有中等冲击倾向性,且浸水7

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