使用开尔文探针力显微镜研究了工作的有机场效应晶体管(OFET)中电介质表面附近CuPc的界面传输特性和状态密度(DOS)。 我们发现,在沟道电场为4.3 X 10(2)V / cm的高k Al2Oy / TiOx(ATO)电介质上,CuPc的载流子迁移率是SiO2上CuPc的载流子迁移率的20倍。 ATO基板上CuPc的最高占据分子轨道(HOMO)的DOS的高斯宽度为0.33 +/- 0.02 eV,并且ATO基板上CuPc的间隙中的陷阱DOS小至7 x 10( 17)厘米(-3)。 观察到HOMO边缘附近的间隙状态,并将其分配给氧的掺杂水平。 在E-VGS(= VT')附近测得的CuPc在SiO2上的HOMO DOS突然减小,并且观察到DOS的钉扎现象,表明界面处的陷阱DOS更高,为10(19)-10(20)cm(-3) 。 讨论了DOS与界面处的结构,化学以及电学性质之间的关系。 CuPc / ATO OFET的优异性能归因于低陷阱DOS和掺杂效应。