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粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究，肖渊渊，黄玉音，采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300nm的BaSn0.15Ti0.85
AlGaAs / GaAs纳米线/量子阱异质结构的制备和光学性质
在SF6气氛中使用飞秒激光对单晶硅表面进行辐照,制造了尖峰状的微结构表面,随后在该表面上通过磁控溅射了一层掺铝氧化锌(AZO)薄膜。考察了样品镀膜前后的表面微结构和光学吸收性能。结果表明,表面尖峰尺寸
采用直流反应磁控溅射与高温退火工艺大批量制备了膜厚为200 nm、400 nm及800 nm的2英寸蓝宝石基氮化铝模板, 并对高温退火前后不同膜厚模板使用各种表征手段进行对比分析。结果表明: 采用磁控
采用组份均匀薄膜近似，对射频磁控溅射的司太立沉积薄膜进行了背散射测量，结果发现薄膜中钨的含量与司太立靶材相一致，表明采用该工艺直接由司太立靶材制备司太立薄膜是可行的。
磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶
采用脉冲激光溅射沉积技术在LaAlO3(001)衬底上制备了一系列不同厚度(40~240 nm)的La0.67Ba0.33MnO3薄膜。通过控制薄膜的厚度,获得了不同应变态的La0.67Ba0.33M
铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al)薄膜适合用作铜铟镓Selenium化Cu(In,Ga)Se(2)薄膜太阳能电池中的透明导电电极。 在磁控溅射过程中,沉积在钠钙玻璃上的ZnO:Al的电阻率和膜质量不均匀。
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