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1960年发明的固态激光器和气体激光器,1962年发明的双极型半导体激光器和1994年发明的单极型量子级联激光器(QCL)是激光领域的三个重大革命性里程碑。自1994年发明单极型QCL以来,目前已研制
国家科委为配合大功率CO2激光器及激和热处理攻关项目,于1983年11月26日至12月16日派出7人小组赴美考察。在美国走访了八家公司,两个研究所和两个大学。
太赫兹量子阱光电探测器中光子介导的光电流
通过对种子注入调谐光参量振荡激光器的理论计算.从理论上证明了种子注入法不仅能压窄参量激光的线宽,还能降低参量振荡激光器振荡的阈值,增大其输出参量激光的能量.提高输出激光能量的转换效率,并在实验上给予证
This paper describes the measurement of carrier lifetime of GaAs/GaAlAs DH lasers. Simplified experi
本文对具有晶格匹配的InGaN / AlInN / InGaN(LM-IAI)量子阱(QW)势垒的GaN基发光二极管(LED)的性能进行了数值研究。 模拟了静电场,载流子电流密度,载流子浓度和辐射复合
对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对
对自倍频(SFD)效应在半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模激光器中抑制调Q倾向的机制进行了详细的理论研究和数值模拟。推导了含有自倍频效应的SESAM锁模激光器中非线性损耗的表达式, 建立了描述激光器
Tm:YAG 晶体以其优越的特性在产生2 μm 激光方面得到广泛应用。基于Tm:YAG 激光器准三能级系统,建立了激光二极管(LD)侧面抽运Tm:YAG 激光器抽运阈值的理论模型,并对不同振荡模式下的
具有强内置电场的InGaN / GaN应变量子阱中的非局部光学性质
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