Bi / Al掺杂的石英光纤是通过原子层沉积(ALD)掺杂技术与传统的改良化学气相沉积(MCVD)Craft.io相结合制成的。通过Bis(2,2,6,6-tetra-methyl-3,5-heptanedionato)Bis(III)(Bi(thd)3)和H2O作为Bi和Bi,通过ALD技术将Bi2O3和Al2O3引入二氧化硅光纤芯层中。 O前体,并分别以Al(CH3)3(TMA)作为Al前体。研究了Bi / Al共混的二氧化硅光纤的结构特征和光学性能。 Bi 2 O 3化学计量由X射线光电子能谱(XPS)确认。 Bi元素的价态为+3。在纤维预成型坯芯和包层区域中,Si,Ge和O元素的浓度分布分别约为24-33、9和66 mol%。在光纤预制棒纤芯中,Bi和Al离子也分别掺杂了约150-180和350-750 ppm。使用光纤折射率分析仪分析,掺Bi / Al的光纤的折射率差约为0.58%。在520、700和800 nm处有明显的Bi型离子吸收峰,荧光峰分别在489和705 nm激发下在1130和1145 nm处。它们的荧光寿命分别为701和721 s。然后在532 nm泵浦激发下,