极紫外光刻技术(EUVL)是半导体制造实现22 nm及其以下节点的下一代光刻技术。在曝光过程中,EUVL物镜的每一面反射镜吸收35%~40%的入射极紫外(EUV)能量,使反射镜发生热和结构变形,影响投影物镜系统的成像性能。基于数值孔径为0.3,满足22 nm技术节点的产业化EUV投影物镜,采用有限元分析(FEA)的方法研究反射镜变形分布,再将变形导入光学设计软件CODE V中,研究反射镜变形其对成像特性的影响。研究结果表明:当达到硅片的EUV能量为321 mW,产量为每小时100片时,反射镜最高升温9.77 °C,通光孔径内的最大变形为5.89 nm;若采用相干因子0.5的部分相干光照明,变形对