我们计算Mg受体活化能EA并研究纳米级(AlN)(5)/(GaN)(1)超晶格(SL)中被O0原子占据的Mg最近邻元素对EA的影响.83Ga0.17N无序合金,使用第一性原理计算。 我们发现与Ga原子键合的N原子更容易被O原子取代,并且在SL中nMg(Ga)-ON(n = 1-3)配合物是有利且稳定的。 O原子在减少EA中起主要作用。 Mg-O键越短,EA越小。 通过nMg(Ga)-ONδ共掺杂,可以显着降低Mg受体的活化能。 我们针对2Mg(Ga)-ON计算的EA为0.21 eV,对于3Mg(Ga)-ON可以进一步降低至0.13 eV,这导致高空穴浓度约为10(20)cm(-3) (AlN)(5)/(GaN)(1)SL中在室温下我们的结果证明,在具有超薄GaN层的AlN / GaN SL中进行nMg(Ga)-ON(n = 2,3)d共掺杂是提高富含Al的AlGaN中p型掺杂效率的有效方法。 (C)2015年作者。 除另有说明外,所有文章内容均根据知识共享署名3.0未移植许可证进行许可。