半导体激光激发的NYAB绿光激光器
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双波长量子阱GaAs半导体激光器
日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条
19 2021-02-23 -
光抽运半导体激光器增益特性研究
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15 2021-02-23 -
高亮度光纤耦合半导体激光器
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19 2021-02-15 -
干涉型可见光半导体激光器
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6 2021-02-09 -
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6 2020-11-06 -
半导体锁模激光器的最新研究进展
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9 2021-01-31 -
半导体激光器驱动电源的控制系统
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6 2020-10-27 -
高功率半导体激光器的波长稳定技术
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10 2020-10-28 -
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10 2020-10-28 -
输出1瓦的高功率半导体激光器
索尼公司最近用MOCVD法(有机金属气相生长法),研制成室温连续振荡、最大输出为1瓦的髙功率AlGaAs系半导体激光器( 波长770~840纳米)。
12 2021-03-27
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