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为获得高功率的太赫兹共振隧穿器件,优化设计了AlAs/InGaAs/AlAs共振遂穿二极管材料结构,在国内首次采用MOCVD设备在半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用接触光刻工艺和空气桥搭接
报道了一种提取量子点结构耦合电容的改进方法。 该方法基于测量硅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)中的电荷转移电流。在该晶体管中,通过施加具有半周期相位的交流偏置来控制沟道的闭合和断开移
铁磁体/共振隧穿二极管复合器件中的自旋注入研究，包瑾，万方，本文在共振遂穿二极管 (RTD) 的基础上引入自旋，研究了这种铁磁体(FM)/RTD复合结构中的自旋输运行为。结果表明：器件的自旋极化率随着
从单层MoS2场效应晶体管的磁滞栅极传输特性中获得的缺陷状态的密度
和以往的说教式教材大相径庭，作者独树一帜非常具体 深入的分析并讲解了晶体管与场效应管的结构构成，工作原理。 使读者能够形象化的学习掌握晶体管和场效应管的工作原理。 电路符号所包含的意义。
IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1
丰富的晶体管各种参数，值得参考，在设计过程中需要！
在霍金辐射的隧穿框架中，研究了带电非旋转TeV级黑洞中带电块状粒子的隧穿。 为此，我们通过广义的不确定性原理将自然界线视为最小长度，最小动量和最大动量。 我们通过考虑能量和电荷守恒以及背向散射辐射的全
在4H-SiC(0001)衬底上的准自支撑双层外延石墨烯场效应晶体管
在这项工作中，我们在约旦-布兰斯-迪克理论的背景下研究了一种紧急宇宙场景的替代方案，其中宇宙最初处于由处于虚假真空中的标量场支持的真实静态中。 该模型提供了一个经典稳定的过去的永恒静态，当通过量子隧穿
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