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本文用龙格-库塔法求解高斯脉冲调制下半导体激光器速率方程,对结果进行了分析。推出了较高偏置直流和高斯脉冲调制下计算激光脉冲延迟时间、脉冲宽度和最大调制码率的公式。给出了调制畸变的实验结果。
常用连续半导体激光器的输出光功率一般在几毫瓦以上,输出光功率在几十~几百毫瓦或更大功率的连续半导体激光器正逐步扩大应用范围.
用光束传播法(Beam Propagating Method)计算并分析了用半导体激光器端面抽运的1.084 μm Nd:Ti:LiNbO
日本三菱电机公司中央研究所,最近试制成一种通过改变注入电流的大小,可用两种波长交替或同时振荡的量子阱GaAs半导体激光器。激光器的有源层只有0.01微米厚,它的上下方是AlAs-GaAs超晶格结构。条
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数
光纤耦合半导体激光器以其体积小、光束质量好、寿命长及性能稳定等优势在各领域得到广泛应用,主要作为光纤激光器和固体激光器的抽运源,也可直接应用于激光医疗、材料处理如熔覆、焊接等领域。受光纤激光器向高功率
日本夏普公司研制成一种在谐振腔内部设有光反射区的双重谐振结构干涉型可见光半导体激光器IRI-VSIS,在世界上首次在可见光区域实现纵模稳定,同时该所运用由各自的谐振腔所决定的两种激光相互干涉的新技术,
针对原curamik微通道热沉因进水通道流量不均而导致散热不均匀的现象,基于FLUENT软件对其进行数值模拟。从内部结构及热沉材料方面提出优化方案,并进一步获得在热沉高度和进出口宽度为固定值的条件下,
提出并分析验证了一种基于半导体激光器注入锁定实现的全光时钟提取方案。方案中,借助半导体激光器的注入锁定过程,可以将光归零(RZ)码信号中的载波和一个时钟分量依次锁定两个半导体激光器获得光场的锁相输出,
高功率半导体激光器系统作为发展成熟的激光光源,在材料加工和固体激光器泵浦领域具有广泛应用。尽管高功率半导体具备转换效率高、功率高、可靠性强、寿命长、体积小以及成本低等诸多优点,但是光谱亮度相对较差则是
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