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实验研究了质子轰击条形GaAs/GaAlAsDH半导体激光器的像散特性.
本文从范德玻尔(van der Pol)方程出发,导出了描述延迟自差拍法谱宽测量的公式。讨论了各结构参数对测量的影响。报道了用该法对单频半导体激光器测量的一些结果。
研究了热起伏、场零点飘移和自发辐射对半导体激光器AM和FM噪声的影响。
目前,减小二极管激光器输出光束的扩散角已成为一个集中研究的课题。基于宽度相同的激光器发出的窄光束,其横向扩散角是5°。锁相阵激光器发出的光束,其横向扩散角只有1.5、它可用于基模振荡和高次模振荡。然而
半导体激光器光束由于其波导结构,出射光束发散角很大,属于非傍轴光束,使得用傍轴理论处理精度不高。为了精确地描述光场分布,需用更精确的非傍轴矢量理论进行分析。针对半导体激光器光束传输特性,运用光波矢量传
大功率半导体激光器阵列在抽运固体激光器系统方面的用途不断增加。光谱宽度是激光器阵列产品的一个关键指标。通过减小抽运半导体激光器的光谱宽度来提高光谱的精确性能够提高激光器系统的紧凑性、效率、功率和光束质
本文在分析半导体激光器损坏机理的基础上得出半导体激光器驱动电源设计的关键在于保护电路的设计。通过深入分析传统半导体激光器驱动电源保护电路的特点,找出其设计的优点和不足,并在充分吸收传统半导体激光器驱动
设计了980nm大功率半导体激光器的驱动电路及温度控制电路,该电路制作成本低,输出功率稳定,稳定度可达0.01dB。并对激光二极管
综述了多段式半导体激光器的研究进展。按结构不同,将他们分成两段式、三段式和四段式激光器进行讨论。重点介绍了几类具有典型结
为获得808 nm单巴条(bar)大功率半导体激光器寿命指标,研制了10工位大功率半导体激光器寿命实验在线监测系统,完成了3组寿命评价实验,这3组实验条件分别为温度25 °C、电流100 A,温度50
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