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采用谱分割方法和分段模型对1.5μm波段的超辐射发光二极管(SLD)进行了仿真。为减小分段模型的分段数目和计算时间,对文献中常采用的计算每小段平均光功率(平均光子数密度)的3种主要方法进行了对比分析,
发光二极管主要参数与特性 LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性
采用金属有机化学气相沉积系统外延AlGaInP发光二极管, 制备成面积小于12 mil×12 mil(300 μm×300 μm, 1 mil=25.4 μm)的芯片, 封装成裸晶结构并在50 mA、
本文将硼离子注入n型硅片制备出硅pn结发光二极管,系统研究了硼离子的注入剂量、能量、以及温度等条件对硅pn结电致发光效率的影响。随着注入的B原子浓度的提高,硅pn结二极管的电致发光效率显著增强,在B原
在这项工作中,对具有AlGaN / AlGaN多量子最后势垒(MQLB)的基于AlGaN的紫外发光二极管的优势进行了数值研究。 研究了多量子阱中的光输出功率,内部量子效率,能带图,载流子浓度,辐射复合
数值研究了具有应变补偿的p-AlGaN / InGaN超晶格(SL)和最后量子势垒(LQB)的GaN基发光二极管(LED)的优势。 仿真结果表明,通过用p-AlGaN / InGaN SL代替常规u-
InGaN基发光二极管(LED)芯片大电流密度下效率的下降影响了其在功率型器件方面的应用,因此效率下降的原因和克服的方法成了当前的研究热点。综述了近年来研究者提出的光效下降效应的几种产生机制,包括Re
关于发光聚合物的一种新理论认为,发光聚合物的效率能翻番。这种产品的开发将增进柔性显示器的推广或是说可能削减平板显示器的成本,平板显示器当前主要依赖昂贵的材料。 这种新理论形成于以下三方科学家合作的
一般发光二极管内部只封装一个管芯,它只能发出单一色的光。变色发光二极管则封装不两个管芯,一个管芯为红光材料,另一个管芯为绿光材料,如图1所示。 图1变色发光二极管的结构图 图1(a)所示的变色发
表1列出了BT系列发光二极管的主要参数。 表1 BT系列发光二极管的主要参数表
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