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利用吸收光谱和光致发光(PL)光谱研究了氢化物气相外延(HVPE)法生长的GaN厚膜材料发光特性。研究发现当激发脉冲光源的重复频率较低时,PL光谱中仅能观察到带边发光峰,当重复频率增加时,PL光谱中不
我们报道了通过脉冲金属-有机化学气相沉积法生长的In0.17Al0.83 N中间层在GaN膜的晶体质量方面的改进,该Ninterlayer与GaN膜在面内晶格匹配。 通过高分辨率X射线衍射估计,铟成分
液相外延技术生长GaSb量子点的结构和光学性质
LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0.2%,是一种很有潜力的蓝光衬底材料。通过多次实验,用提拉法生长了尺寸为<15×60mm的高质量LiGaO2单晶。利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子
我们调查了生长温度的依赖性 客栈通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的薄膜。 实验结果表明,生长温度对合金的表面形貌,结晶质量和电学性能有很大影响。 客栈层。 生长温度的升高使ω扫描的半峰全宽(
中间层数据包过滤可以辅助实现个人防火墙及通信内容监控的功能。
解决Windows2003环境下，客户端无法正常登陆中间层服务器，提示“组件无法创建”，或者“拒绝的权限”等等问题。
K3中间层匿名登陆方法，描述了K3中间层服务器的匿名登录设置方法
MOCVD生长的GaMnN退火薄膜的磁学性质与结构的关系
具有NiOx夹层的石墨烯电极InGaN / GaN LED的增强的光电性能
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