通过射频磁控溅射将纳米尺寸的CeO2点沉积在(001)LaAlO3衬底上。 在基板上加工出人造装饰缺陷之后,使用直流磁控溅射和后退火在其上生长100nm,150nm,200nm和400nm厚的Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)薄膜。过程。 AFM图像显示CeO2纳米点在基板表面上分布良好,直径为70 nm,高度为5 nm,纳米点的密度为25 +/- 3点/μm(2)。 SEM图像用于观察膜表面上的变化。 在具有纳米点装饰的衬底的Tl-2212膜和未处理的单晶LaAlO 3衬底上都测量了运输临界电流密度J(c)。 结果表明,具有纳米点装饰的基板的Tl-2212薄膜的J(c)值得到了显着提高,并且由于纳米点引起的纳米结构缺陷,提高了Tl-2212薄膜的钉扎强度。