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以正硅酸乙酯为原料,采用溶胶-凝胶法制备SiO2溶胶,通过提拉法涂制多孔SiO2减反膜,并在多孔SiO2减反膜上涂制一层甲基三乙氧基硅烷(MTES)预聚体。通过疏水的MTES预聚体涂制在多孔SiO2减
本文以原子层沉积超薄氧化铝(Al2O3)为过渡层,采用射频反应磁控溅射法在硅半导体基片上制备了颗粒致密并具有(011)择优取向的二氧化钒(VO2)薄膜.该薄膜具有显著的绝缘体—金属相变特性,相变电阻变
本文利用热注入和"一锅法"的方法合成了单分散高质量的氧化铟锡纳米晶颗粒,并通过不同工艺来控制反应速率,最终得到形貌和尺寸不同的球状纳米晶和枝状纳米花。另外,将制备得
分析了表面处理技术在制备非晶材料方面的研究现状指出表面处理技术是实现非晶材料制备与成形一体化的有效方法之一 应用该技术制备非晶材料可以简化工艺缩短生产周期这对表面处理技术的推广具有重要意义
由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。 单晶硅是一种比较活泼的非金属元
首先我们确定一个思路:先分析并列举光子经过非晶硅电池时主要损失,然后就各点得出相应的对策以避免或减少损失。 1.欠能和过能损失: 即能量低于带隙的光子和能量高出带隙的光子。在晶硅电池里,仅这两
引 言 一九七六年卡尔松和路昂斯基报告了无定形硅(简称a-Si)薄膜太阳电池的诞生。当时,小面积样品的光电转换效率为2.4人时隔二十多年,a-Si太阳电池现在已发展成为最用廉价的太阳电池品种之一。非晶
称为硅的本地氧化(LOCOS)的技术能实现厚氧化层选择性生长。(8 “LOCUS: A New I.C. Technology,” Microelectronics and Reliability,
氮化硅薄膜的性能研究以及在多晶硅太阳电池上的应用
聚苯丙乳胶/二氧化硅/ NaYF4纳米晶三元胶体晶体薄膜的制备及其性能研究，张晓寅，陈敏，本文采用溶剂热的方法制备了形态规整的上转换荧光纳米晶粒NaYF4，并对其进行了表面络合剂置换处理，使之能够在水
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