Nb掺杂的TiO2保护的反向沟道刻蚀非晶InGaZnO薄膜晶体管

SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管，张景文，侯洵，在NH3和O2的混合气氛下，采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜，XRD分析表明ZnO薄膜掺入

Levinson公式在ZnO薄膜晶体管上的应用，姚绮君，李德杰，本文将用于多晶材料薄膜晶体管的Levinson公式应用在ZnO薄膜晶体管上，采用简单的曲线拟和，取得了和实验数据较为吻合的结果，并得到

Nb掺杂锐钛矿TiO2室温铁磁性的载流子调控，杨继勇，韩银龙，在LaAlO3(100)基片上，利用激光脉冲沉积(PLD)制备了不同Nb掺杂浓度的高质量锐钛矿TiO2(Ti1-xNbxO2)薄膜，考察了

VCOM电源电压的准确值随不同平板显示器而变化，因此必须在出厂时设置VCOM值以便与每一个显示屏的各自特性相匹配。适当地调节VCOM值可以减少闪烁和其它不良影响。

所有薄膜晶体管液晶显示(TFT LCD)平板显示器都至少需要一个适当调节的VCOM信号以便为平板显示器的背板提供一个参考点。

在某些直流/直流转换器中,芯片上的逐周期限流措施在短路期间可能不足以防止故障发生。一个非同步升压转换器可通过电感器和箝位二极管来提供一条从输入端到短路处的直接通路。

TDK株式会社和株式会社半导体能源研究所宣布成功携手开发出用于贴装在软性基板上的RFID标签集成电路(UHF波段和13.56MHz)的技术。该技术运用了高性能的薄膜晶体管来实现RFID集成电路和软性基

短路器沟道的超低损耗超结反向阻断绝缘栅双极晶体管

我们报告了以并五苯/氟化铜酞菁(F16CuPc)/并五苯(PFP)夹心结构为有源层的有机薄膜晶体管(OTFT)。 夹层器件不仅显示出空穴迁移率的增强,而且还很好地控制了阈值电压和截止状态电流。 通过仔

带有PMMA栅极绝缘体的顶栅LZTO薄膜晶体管的溶液Craft.io

具有湿法腐蚀电极的反交错非晶InGaZnO薄膜晶体管的Craft.io开发

包含尾态和深态的非晶IGZO薄膜晶体管的基于表面势的显式模型

具有IZO / IGZO堆叠有源层和AlReact源/漏区的自对准顶栅非晶氧化物薄膜晶体管

不同厚度溅射AlOx钝化的非晶InGaZnO薄膜晶体管的光照稳定性

CF4 + O-2等离子体处理后沟道刻蚀非晶铟镓锌锌薄膜晶体管的性能和稳定性改进