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纳米硅/单晶硅异质结的电学特性，周哲，刘爱民，本文主要研究了inc-Si:H/pc-Si异质结的能带结构和载流子输运特性。采用HWCVD技术在p型单晶硅衬底上分别制备了晶化率为66%和38%的本征纳�
硅纳米晶/SiO2多层薄膜的制备
基于边缘剪切转移技术的柔性硅纳米带，郭庆磊，梅永丰，作为柔性光电子材料的基本构筑模块，无机半导体纳米膜由于其优异的力学柔性和光电性能，而有着广泛的应用前景。为使这些具有复杂
基于硅纳米结构膜的酒精传感器，吕扬，张贺秋，采用化学气相输运方法在蓝宝石衬底上制备了高密度硅纳米结构膜，通过扫描电子显微镜（SEM）对其形貌进行了表征。结果表明这种硅纳
硅纳米晶量子点是硅发光研究领域最有潜力、最重要的一个研究方向。用热蒸发法在硅片上生长了富含硅纳米晶体的SiO2薄膜,观测到嵌埋于SiO2薄膜中硅纳米晶的较强光致发光谱;室温下在可见光区对该薄膜进行了椭
非晶硅与单晶硅光谱响应图片,下载以备急需。
同轴硅-绝缘体-硅直通硅通Kong的电学特性:理论分析和实验
我们报告了具有高内部量子效率的InGaN / GaN多量子阱(MQW)纳米棒阵列的光致发光特性。 通过在c面蓝宝石衬底上进行有机金属化学气相沉积来生长InGaN / GaN MQW,然后通过电感耦合等
硅纳米光波导具有超高折射率差与超小横截面, 因而具有超强光场限制能力, 为实现超高集成度纳米光子回路提供了一种极具吸引力的途径。众所周知, 在光子集成回路中, 模式转换与耦合是实现各种功能器件的重要基
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利
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