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在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种
通过在InAs / InP和基于InAs / GaAs的引脚结构上进行取决于温度的电流-电压和电致发光测量，研究了包含量子点层（QD）的长波长半导体激光器结构的电荷转移特性。 在InAs / InP细
结合纳米线和量子点的混合纳米结构促进了具有集成功能的纳米电子和纳米光子器件的发展。 在这项工作中,我们提出了一个复杂的纳米结构,在纳米线上生长了多壳量子点。 通过金属有机化学气相沉积,在GaAs纳米线
我们报告了InAs / GaAs量子点激光器的异常激光光谱,其中存在一个单模峰,其光强度比其他模式大几倍。 在413 mA的注入电流下,在29∘C下测得的单模峰值的最大侧模抑制比为10.11 dB。
垂直堆跺InAs量子点是用分子束外延(MBE),通过Stranski-Krastanov(S-K)方式生长.利用光致发光(PL)实验对InAs量子点进行了表征.在生长过程中使用对形状尺寸控制的方式来提
研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391~1
通过分子束外延在GaAs(001)上自组装InAs量子点(综述文章)
具有AlSb / InAs量子阱结构的高灵敏度霍尔器件
使用光注入和反馈的InAs / GaAs分布式反馈量子点激光中的P1动力学
非掺杂GaAs / AlGaAs量子点器件的制备与表征
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