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通过分子束外延在硅衬底上经济高效地选择生长GaN基纳米柱
用分子束外延(MBE)技术,在GaAa(100)衬底上生长了厚度从0.045 μm到1.4 μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子(Longitudinal-optical
英国菲利浦研究实验室的一个研究小组已经证明,在量子阱激光器的制造中使用分子束外延技术,在低达707 nm的可见光谱内运转是可能的。如此短的波长对菲利浦的其它研究人员特别是袖珍光盘只读存Jfc器领域中的
采用变温及时间分辨光致发光测量手段, 研究了分子束外延(MBE)设备生长的具有不同盖帽层的InAs量子点样品。发现InxGa1-xAs盖帽层可以减小InAs量子点所受的应力、降低位错及缺陷的产生, 使
ZnO自组装量子点的局域态密度测量，卢洋藩，陈匆，采用金属有机化学气相沉积方法，在Si（111）及Au（111）衬底表面自组装生长了直径10-15nm的ZnO量子点。SEM图像显示ZnO量子点均匀分布
具有不同双峰种群的低密度InAs / GaAs量子点的PL
在In As/Ga As量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心。这种
分子束外延生长梯度掺杂透射模GaAs光电阴极中载流子的分布
我们在论文中报道了InAs / GaSb超晶格结构的分子束外延生长过程中InSb界面性能的优化和控制。 首先制备了具有相同结构但生长方法不同,常规分子束外延(MBE)和迁移增强外延(MEE)的用于界面
通过在InAs / InP和基于InAs / GaAs的引脚结构上进行取决于温度的电流-电压和电致发光测量，研究了包含量子点层（QD）的长波长半导体激光器结构的电荷转移特性。 在InAs / InP细
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