高电子迁移率晶体管(HEMT)以其噪声低和频带宽等特点在微波毫米波领域得到了广泛的应用,本文在传统优化方法的基础上,对差分进化算法进行了改进,并基于该算法对HEMT小信号等效电路模型进行了模型参数提取。实验结果表明,2×20μm GaAs HEMT器件S参数模拟结果和测试结果在40 GHz频率范围内吻合很好,误差在2%以内。