美信基准源

一种简单的带隙基准源，胡浩，陈星弼，文章提出了一种在两管带隙基准源基础上发展的简单基准源。电路用简单的结构，用反馈环实现了有较高电源电压抑制比的基准输出。文

高分辨率、逐次逼近型ADC的整体精度取决于精度、稳定性和其基准电压源的驱动能力。ADC基准电压输入端的开关电容具有动态负载,因此基准电压源电路必须能够处理与时间和吞吐速率相关的电流。某些ADC片上集成

随着深亚微米CMOS工艺的发展,尺寸按比例不断缩小,对芯片面积的挑战越来越严重,双极型晶体管以及高精度电阻所占用的面积则成为一个非常严重的问题。鉴于此,本文提出了一款高精度的基准电压源的设计方案,经证

带隙基准源是集成电路的基本组成部分。在此对传统 CMOS带隙基准源电路的分析和总结上 ,基于无锡上华的 015μm混合 CMOS工艺 ,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用 ,并结合一级温度补偿、 电流反

【技术应用笔记】长期漂移对基准电压源的影响AN-7130OF5FDIOPMPHZ8BZt10#PYt/PSXPPE."t5FMt'BYtXXXBOBMPHDPNǖ$PMN#SB[JM (LTD)200

设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性;采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明,电路温度系数为3.3 ppm/°C,在

采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实

设计了一款带隙基准电压源,基于0.18μm的CMOS工艺,在Hspice下仿真,仿真结果表明,温度在-25~80°C内变化时,温度系数为9.14×10-6°C;电源电压在3~5 V之间变化时,基准电压

0 引言 随着集成电路规模不断扩大,尤其是芯片系统集成技术的提出,对模拟集成电路基本模块(如A/D、D/A转换器、滤波器以及锁相环等电路)提出了更高的精度和速度要求,这也就意味着系统对其中的基准

本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进,使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。