INFINEON BSZ150N10LS3 G技术参数详解提供了该芯片的全面规格信息，为工程师和技术人员提供了深入了解的机会。这份中文版PDF手册包括了BSZ150N10LS3 G芯片的电气特性、性能参数、引脚功能等方面的详细内容。通过仔细阅读手册，用户能够掌握芯片在不同工作条件下的表现，并在实际应用中做出准确的设计和配置。INFINEON作为一家知名芯片制造商，其产品规格书是工程师理解和应用其芯片的重要参考资料。
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产品型号:2N6043G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):8直流电流增益hFE最小值(dB):1000直流电流增益hFE最大值(dB):10
产品型号:1N4007G最大平均正向电流(A):1峰值反向电压VRRM(V):1000最大全周期正向压降VFM(V):1.100最大非重复浪涌电流IFSM(A):30最大反向电流IR(mA):0.01
产品型号:2N5061G断态重复峰值电压VDRM(Max)(V):60反向重复峰值电压VRRM(Max)(V):60额定正向平均电流IF(Max)(A):0.800门极触发电流IGT(Max)(mA)
产品型号:2N6288G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):30集电极最大持续电流IC(Max)(A):7直流电流增益hFE最小值(dB):30直流电流增益hFE最大值(dB):15
产品型号:2N5684G类型:PNP集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80集电极最大持续电流IC(Max)(A):50直流电流增益hFE最小值(dB):15直流电流增益hFE最大值(dB):6
产品型号:2N3055G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大持续电流IC(Max)(A):15直流电流增益hFE最小值(dB):20直流电流增益hFE最大值(dB):7
产品型号:MMDF3N02HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):3.800通道极性:N/N沟道封装/温度(°C):S
产品型号:MMDF3N04HDR2G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):80最大漏极电流Id(on)(A):3.400通道极性:N/N沟道封装/温度(°C):S
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