我们的目标是编写一个程序来计算和演示一个骑士在棋盘（尽管大小不同）上的移动，以便它在每个领域只踩一次，然后返回到用户可以选择的原始位置。
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移动云计算前沿资讯移动技术开发3G
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25 2019-01-10 -
NTD24N06T4G的技术参数
产品型号:NTD24N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):42最大漏极电流Id(on)(A):24通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-
2 2020-12-13 -
NTB75N06T4G的技术参数
产品型号:NTB75N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9.500最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK
4 2020-12-13 -
NTD20N06T4G的技术参数
产品型号:NTD20N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):20通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-
8 2020-12-13 -
NTD18N06T4G的技术参数
产品型号:NTD18N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60最大漏极电流Id(on)(A):18通道极性:N封装/温度(°C):DPAK-3/-55
3 2020-12-13 -
NTB45N06T4G的技术参数
产品型号:NTB45N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):40源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-5
7 2020-12-13 -
NTB30N20T4G的技术参数
产品型号:NTB30N20T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):200源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):81最大漏极电流Id(on)(A):30通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-
0 2020-12-13 -
NTB35N15T4G的技术参数
产品型号:NTB35N15T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):150源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):37通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK/-
3 2020-12-13 -
NTD32N06T4G的技术参数
产品型号:NTD32N06T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):26最大漏极电流Id(on)(A):32通道极性:N沟道封装/温度(°C):DPAK 4/-
5 2020-12-13 -
NTB85N03T4G的技术参数
产品型号:NTB85N03T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(°C):D2PAK
4 2020-12-13
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