# 电子迁移率
载流子迁移率
在2.5.6节提到过,在半导体材料中移动一个电子比空穴要容易。在电路中,我们对载流子(空穴和电子)移动所需能量和其移动的速度都感
什么是载流子迁移率及迁移率影响芯片的那些性能
迁移率是指载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快,迁移率越大;
HEMT高电子迁移率晶体管介绍
Introduction to HEMT (High Electron Mobility Transistor)
载流子迁移率测量方法总结
0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数,它决定半导体材料的电导率,影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重
电子测量中的载流子迁移率测量方法总结
0 引言 迁移率是衡量半导体导电性能的重要参数,它决定半导体材料的电导率,影响器件的工作速度。已有很多文章对载流子迁移率的重
OTS处理提高有机TFT载流子迁移率
韩国庆熙大学日前通过将有机TFT面板的PVP栅绝缘膜进行OTS(Octadecyltrichlorosilane,十八烷基三氯硅
AlGaN GaN高电子迁移率晶体管的储热
AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的储热
n Si和p Si体内迁移率
n-Si和p-Si表面有效迁移率还不到 体内迁移率的一半,并且与晶向有关。 具体数值与硅表面状况有关。MOS工艺常选用(100)
dftb mobility pkg该软件包使用DFTB加计算电子迁移率源码
dftb-mobility-pkg 使用状态密度和透射率/ 执行电子迁移率计算的软件包 有关使用和分发的条款,请参阅许可。 /!
不同频率高功率微波对高电子迁移率晶体管的损伤效应
针对典型的GaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sen