# 光电探测器
光电PIN探测器
尽管这一材料体系的PIN通常只含有AlGaSb,但掺杂少量的砷能减少晶格失配。该材料用LPE方法在350~500'C温度下生长在
光电APD探测器
虽然PIN结构通过扩展空间电荷区有效地提高了工作速度和量子效率,但是它无法将光生载流子放大,因此信噪比和灵敏度还不够理想。为了能
PerkinElmer光电探测器CATSensorsChinesepd
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光电探测器异质结
图1(a)是一个典型的异质结PIN[13],P型和N型区域均为InP,本征层In1 ,Ga,As生长在N型InP衬底上。当X=0
光电探测器基本结构
如图1(a)所示为PIN光电探测器基本结构,N型衬底上生长一层低掺杂本征层,在淀积的5102上开窗形成P型注入区。分别在N型衬底
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光纤通讯中光电二极管的作用及和探测器工艺探讨。
空间调制光电探测器
一种利用标准CMOS工艺实现的旨在消除缓慢载流子扩散对探测器频率响应产生影响的空间调制光电探测器(Spatially-Modul
光电SAM APD探测器
载流子在倍增过程中会引起隧穿电流使APD噪声显著增加,特别是当倍增区的禁带宽度较窄时,这种隧穿电流变得相当可观,严重影响了APD
APD探测器光电特性检测
InGaAsInP_APD探测器光电特性检测
GaN PIN光电探测器结构
为了提高工作速度和响应度,往往采用PIN结构。PIN结构GaN紫外光电探测器具有以下优点:(1)由于高的势垒,因此有较低的暗电流