论文研究势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaN MOSHEMT的影响 .pdf

势垒层掺杂浓度和栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaNMOS-HEMT的影响，刘红侠，陈树鹏，本文分析了HEMT器件的工作机理和器件的基本物理模型，对器件特性进行了二维数值仿真分析，重点研究了器件势

The influences of reverse voltage stress on fluorine plasma treated AlGaN/GaN Schottky barrier diode

p型掺杂浓度对反射型GaN光电阴极的影响

掺杂浓度对Mn掺杂ZnO纳米晶的结构及光学性能的影响，杨蛟，骆英民，采用水热法制备了Mn掺杂纳米晶ZnO样品，并利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光谱（PL谱）等方法测试了样品

纤锌矿InGaN / GaN量子阱中有限势垒宽度对激子态和光学性能的影响

贵金属/非金属共掺杂和单掺杂对锐钛矿电子结构影响研究，廖斌，吴先映，锐钛矿TiO2是一种具有独特性能的材料，但宽禁带是其应用的一个瓶颈。本文从理论方面着手，利用基于密度泛函理论线性缀加平面波的�

氮离子注入对栅氧化层击穿的影响，范呈丰，荣国光，本文介绍了氮植入对超薄栅氧化物[1],[2]的时间相关介质击穿（TDDB）的底层机制研究。据发现，氮植入可以提高TDDB对NMOS的可靠性，同时��

研究了在GaN缓冲层中插入40 nm厚高温AlN层的GaN外延层和AlGaN/GaN异质结材料,AlN插入层可以增加GaN层的面内压应力并提高AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的电学特

通过金属有机气相沉积(MOCVD)在C面蓝宝石上生长使用无意掺杂的AlN / GaN超晶格(SLs)作为阻挡层的AlGaN / GaN异质结构。 与传统的硅掺杂结构相比,电性能得以改善。 平均薄层电阻

界面陷阱对高κ栅MOS器件C-V特性影响的定量研究，刘红侠，刘世宏，本文研究了界面陷阱对MOS器件栅电容C-V特性的影响。分别计算了几种不同的缺陷类型和不同分布形式界面陷阱作用下的栅电容C-V特性。研