随着空间应用技术和激光技术的迅猛发展,对光学系统提出了更高的要求;碳化硅材料以其一系列优秀的物理性质,成为一种特别具有应用前景的反射镜材料;碳化硅反射镜光学表面的光学加工研究也在国内外广泛开展。对碳化
碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍(宽禁带),达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍,高达3.2MV/cm.,其导热率是硅的3.3倍,为49w/cm.k。 它与硅半导体材料一样,可以制
由于电动马达佔工业大部分的耗电量,工业传动的能源效率成为一大关键挑战。因此,半导体製造商必须花费大量心神,来强化转换器阶段所使用功率元件之效能。意法半导体(ST)的碳化硅金属氧化物半导体场效电晶体(S
采用水热法合成纳米Co0.5Zn0.5Fe2O4粉体,并借助X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、矢量网络分析仪(VNA)研究工艺条件(晶化温度、晶化时间)对Co0.5Zn0.5Fe2O4
为了研究Co掺杂及掺杂浓度变化对ZnO薄膜结构及光学性能的影响,本文采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了不同Co掺杂浓度的ZnO薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜、傅里叶变换红外光谱仪、二维傅
以甲醇镁与氢氟酸为原料,用溶胶凝胶法,在惰性气氛和常温常压条件下制备了稳定的MgF2溶胶。利用透射电子显微镜观察溶胶颗粒的形貌与尺寸,结果显示溶胶颗粒是由10 nm左右的晶粒聚集而成。X射线衍射分析表
共沉淀-胶溶法制备纳米方铈石-勃姆石水溶胶,叶巧明,刘屿剑,本实验以CeCl3和AlCl3溶液为原料,通过Al3+、Ce3+的快速共沉淀-将氢氧化物沉淀物内的铈(III)氧化为铈(IV)-胶溶由γ-A
王强,李玉国,石礼伟,孙海波(山东师范大学半导体研究所,山东 济南 250014)摘要:概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进
快速扫描光荧光谱仪表征碳化硅材料,李静,丁丽,通过快速扫描光荧光谱仪测试碳化硅材料的发光特性,发现与氮有关的非本征发射谱线BE强度与本征发射谱线FE强度两值之比可以反映氮�
碳化硅大黑体字体是中文字体库中的一款字体,碳化硅大黑体字体是一款用于美工设计方面的字体,喜欢或需要此字体的朋友们可以前来下载使用。 文字添加方法: 第一种 1.下载字体并解压缩； 2.开始中打开控制面
