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GaN是一种宽禁带直接带隙半导体材料，在电子器件领域有着广泛的应用。但由于缺 乏合适的衬底材料，限制了器件性能的进一步提高。因此，如何提高GaN外延层的性能就 成为GaN材料研究和应用中的主要问题。
源温度对基于CVD的ZnO:N薄膜性能影响，毛飞燕，邓宏，利用化学气相沉积(CVD)法，以Zn4(OH)2(O2CCH3)6•2H2O为源，NH3为掺杂气体,在不同源温度下沉积ZnO:N薄膜，研究了样
高收缩聚酯薄膜的合成及性能研究，袁雪，陈昭军，本实验运用自制的反应装置,通过添加第三单体的方法对PET进行了共聚改性, 使改性聚酯的结晶能力降低，获得在通常情况下不能结晶的PET
React磁控溅射沉积SiCN薄膜的制备及光学性能
PZT铁电薄膜疲劳状态下的电学性能，陈月圆，朱慧，为了探究阻碍PZT铁电薄膜在市场上得到广泛应用的疲劳失效机理，本文对PZT(锆钛酸铅)铁电薄膜在疲劳过程中的电滞回线、漏电流、保持�
用磁控溅射法制备了GdFeCo/AlN/TbFeCo静磁耦合多层薄膜。振动样品磁强计和克尔磁滞回线测试装置的测试结果表明
用直流磁控溅射法在190 °C玻璃基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,利用荧光分光光度计研究了ITO薄膜的光致发光性能。结果表明,室温下ITO薄膜在波长250 nm光源的激发下,分别在467 nm和7
应用高能量单脉冲激光作用在锆钛酸铅(PZT)压电薄膜上,研究脉冲激光的热冲击对PZT薄膜性能产生的影响.发现在激光未烧熔薄膜的能量密度下,经过激光作用后,PZT薄膜的铁电性能发生变化:在外加电压为6
通过使用不同溅射功率的射频(RF)磁控溅射技术,在石英衬底上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,该技术将其功率从10 W调整到200W。发现溅射功率起着重要的作用。在电影的成长过程中。 检查了结晶度,吸收和光
快速循环晶化Al/BiGaDyIG双层膜的研究结果表明,由于晶粒细化及膜层间干涉增强效应,在0.1~1.3 μm膜厚范围.其平均有效法拉第角比单层膜增加了0.25°,且随循环次数增加而增大。同时,部分
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