SOI NMOS器件总剂量效应三维数值模拟,刘红侠,申远,本文利用TCAD三维仿真工具研究了同时存在电子和空穴陷阱条件下0.5 μm SOI NMOS器件的总剂量效应。研究发现在埋氧中注入电子陷阱可以有�