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PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响,王志辉,强颖怀,高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。传统等离子体化学汽相沉积
通过蒸发技术已经制备了厚度为(50-350 nm)的酞菁镍薄膜。 XRD研究表明,对于具有(100)取向的低厚度薄膜,其薄膜具有单晶结构,并且微晶尺寸随厚度增加而增加。 同样从用于NiPc膜的AFM技
设计了一套迈克耳孙白光干涉仪系统用于测量光学薄膜的反射相位,并由此反推单层薄膜的物理厚度。为补偿传统算法获取相位所存在的误差,提出一种新算法,以线性拟合结果作为初始猜想,采用多变量优化拟合总光程差曲线
等离子体增强原子层沉积生长N掺杂Cu2O 薄膜及其物性研究,李微,潘景薪,本文采用等离子体增强原子层沉积技术(PEALD)以NH3为掺杂源对Cu2O薄膜材料进行了N掺杂实验,并对N掺杂后的样品进行了X
这是中国科学院研究生院现代固体物理分析方法课程之一。版权所有麦振宏先生所有,主要是关于 x射线分析波膜结构的知识,只为您提供 x射线的使用,不作商业用途
在考虑探测光束光斑尺寸对调制光热反射(MPR)信号影响的基础上,建立了三维的薄膜-衬底体系的激光光热反射理论模型。对利用激光光热反射技术测量薄膜热物性的可行性进行了研究,并对影响调制光热反射信号的材料
弱吸收单面薄膜光学特性的表征方法
摘要:衬底温度在反应溅射制备ZnO:Al薄膜过程中是一个重要的工艺参数,直接决定这薄膜的性能。本文用中频脉冲磁控溅射方法,采用锌铝合金(Al的含量为2%)靶,在衬底温度170°C,工作压力2.5mTo
In0.5Ga0.5As/GaAs(001) 薄膜临界厚度的测量,刘珂,周清, 本文使用分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)设备在GaAs(001)衬底上生长了In0.
设计了一套利用白光干涉理论测量薄膜厚度的系统, 主要包括迈克耳孙白光干涉系统和光纤光谱仪。对干涉信号进行频域分析, 结合拟合测试与理论能量曲线的方法并选择合适的目标函数, 进一步精确反演得到待测薄膜样
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