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基于图象识别的高抛光透射面缺陷检测,应用于钢铁材料的表面自动检测，分类及算法讨论
为了去除硅片表面损伤和脏污,提高单晶电池背钝化效果,采用KOH溶液对单晶原硅片进行了双面抛光。研究了刻蚀深度和金字塔尺寸的关系以及KOH质量分数、温度和反应时间对刻蚀深度和金字塔尺寸的影响。研究结果表
钢轨表面接触疲劳特性的仿真分析
表面接触状态与力学分析初探，张之敬，刘钦，表面形貌一般可分为形状误差、波纹度与粗糙度之和；本文对基于粗糙度平面接触的单个微凸体弹塑性接触机理进行了研究，并计算了粗
TT electronics旗下IRC Advanced Film公司采用陶瓷基体对其薄膜微波电路的性能进行了改进,新产品进一步减少了传播延迟和内部电路中传输线的损耗。 该电路的基体厚度仅0
nvim-bqf:Neovim中更好的quickfix窗口,抛光旧的quickfix窗口
集群磁流变效应微磨头抛光盘的仿真分析及结构优化，阎秋生，汤爱军，本文提出了集群磁流变效应微磨头抛光盘无抛光垫抛光加工的新工艺方案，推导了磁流变抛光液的基本磁化曲线并得出其基本磁化曲线为
薄晶片有四种主要方法,(1)机械研磨,(2)化学机械平面化,(3)湿法蚀刻和(4)大气下游等离子体干法化学蚀刻(ADP DCE)。四种晶片减薄技术由两组组成:研磨和蚀刻。为了研磨晶片,将砂轮和水或化学
SiC晶圆切割系统
在晶圆完成所有的生产工艺后,第一个主要良品率被计算出来了。对此良品率有多种不同的叫法,如Fab良率(Fab Yield)、生产线良率、累积晶圆厂良率或CUM良率。 晶圆厂CUM良率用一个百分比来表示,
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