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增强型GaNMOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究，周桂林，张金城，采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术，制备了增强型Si衬底SiO2/GaNMOS栅场效应晶体管（MOSFET）。SiO2/Ga
硅烷浓度对VHF-PECVD制备过渡区微晶硅薄膜特性的影响，汪文明，杨恢东，采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，通过调节硅烷浓度，获得了系列非晶/微晶过渡区薄膜材料，并测试分析了
在很多研究中,退火是提高ZnO薄膜晶体质量和改善其发光性能的有效方法。研究了脉冲激光沉积法(PLD)方法制备的ZnO薄膜退火后的发光特性,发现高温下和低温下生长的ZnO薄膜具有不同的发光特性。高温下生
与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成和制造成本低廉等优点。近年来,以VCSEL为基础发展起来的电抽运和光抽运垂直外腔面发射激光器
Sn1As20S79薄膜光折变效应及其条波导制备研究,孙蓓,陈抱雪,实验研究了Sn1As20S79非晶态半导体薄膜的光折变效应及其膜厚变化的现象,归纳了沉积态样品、退火态样品和光饱和态样品的实验规律,
油/水界面自组装制备上转换稀土纳米颗粒薄膜及其性能研究，任媛，陈敏，本文采用溶剂热的方法制备了形态规整的上转换稀土荧光纳米材料，并通过油/水界面自组装的方法制备了单层/多层纳米颗粒薄膜。在自�
溶胶凝胶法制备TAG：Ce3+荧光薄膜及其发光性能研究，姚园，徐华蕊，以硝酸盐为原料，石英玻璃作为基片，采用溶胶凝胶法制备了Ce3+掺杂的铽铝石榴石（TAG：Ce3+）荧光薄膜。研究了不同掺杂浓度、热
用高功率的Nd3+:YAG脉冲激光轰击真空室内的石墨靶,形成激光等离子体雾状物质,在硅衬底上沉积形成类金刚石薄膜.用椭圆偏振光谱法测量不同衬底温度下制备的系列样品的厚度和折射率,发现随着衬底温度的升高
采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了ZnO∶Li薄膜。研究了薄膜厚度对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明:所有薄膜均由具有c轴优先生长取向的六角纤锌矿结构的ZnO晶体构成,晶体的粒径随厚度的增加先增大而
CuO纳米线的制备及电子发射性能的研究
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