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描述宇宙加速发展的尝试包括暗能量模型和修正的引力理论的不同命题。 建立它们的特征以便使用观测数据来区分甚至排除这些模型的一部分是宇宙学的一个基本问题。 在本工作中,我们考虑一类扩展的引力理论(ETG)
采用时窗能量比法对原始槽波记录进行特征变换,再对变换后的槽波记录提取共散射点道集,在共散射点道集的基础上使用基于等效偏移距的散射波成像方法进行成像。模拟槽波记录表明,经过特征变换后,槽波信号的分辨率得
点扩散函数的基本理论,利于学习,这是非常好的一份描述学习资料,望多多指教
暗物质直接检测实验对光暗物质(低于几个GeV)的灵敏度有限,这是因为将检测核后坐力的能量阈值降低到O(keV)以下的挑战。 尽管在这方面已经取得了令人瞩目的进展,但浅色暗物质仍然是暗物质参数空间受约束
我们在有色玻璃凝结水(CGC)有效理论的框架下,计算了小直径x原子核上电子的深层非弹性散射(DIS)中包含的快速光子产生的微分截面。 该框架中的超前阶(LO)计算可恢复x中的超前对数以及Q s(A 2
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强PowerPAK
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型Powe
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)日前宣布推出采用SO-8封装的80V N沟道MOSFET器件——FDS3572。该器件能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ,该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTr
VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。 VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数
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