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硅衬底上生长的MODFET的DC特性和微波频率特性的详细描述与介绍
结合国标灰熔融性测定方法,利用热机械分析仪(TMA)对煤灰进行灰熔融性的测试研究。研究结果表明:国标灰熔融性测定方法得到的煤灰熔融特征温度无法定量描述煤灰在高温下的熔融行为,而TMA不仅能够获得煤灰的
DedeCMS 编织梦幻 SQL 漏洞注入利用工具
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Ni在Ni(100)面的薄膜生长的蒙特卡罗模拟
采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术, 以NH3为掺杂源, 制备了氮δ掺杂Cu2O 薄膜, 研究了N掺杂对Cu2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明, N掺杂引起了晶格畸变, C
用常压金属化学气相沉积法(MOCVD)在Si(111)衬底上制备了马赛克结构ZnO单晶薄膜。引入低温AlN缓冲层以阻止衬底氧化、缓解热失配和晶格失配。薄膜双晶X射线衍射2θ/ω联动扫描只出现了Si(1
与表面态有关的CuSCN薄膜的取向生长和电性能
ITO电极与n-ZnO薄膜的欧姆接触特性，宋力君，杜国同，利用射频磁控溅射方法在n-ZnO薄膜上制备了厚度为100nm的铟锡金属氧化物（ITO）电极。为了降低ITO电极和n-ZnO薄膜之间的接触电阻，
钛酸钡薄膜的制备及其场发射特性研究，刘爱青，元光，利用钛酸钡（BaTiO3）薄膜替代了金属－氧化物－硅（MOS）结构冷阴极的氧化物绝缘层，并利用场发射扫描电镜、X射线衍射、EDS分析表征�
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