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索尼公司最近用MOCVD法(有机金属气相生长法),研制成室温连续振荡、最大输出为1瓦的髙功率AlGaAs系半导体激光器( 波长770~840纳米)。
目前,对于单片集成光电子回路来说,最大的限制就在于缺少合适的光源,而基于化合物材料的半导体激光器由于工艺上与标准集成电路工艺不兼容,无法实现单片集成电路。所以只能选择硅作为基本材料的发光器件,即硅发光
如今可调谐半导体激光器的技术日益成熟,其在光通信网络的应用逐渐增加 通过介绍几种常见 可调谐半导体激光器的原理及性能,阐述了其在国内外的发展现状;在此基础上指出目前供应商对通信 光源的具体需求,从而为
GaN系半导体材料是继硅与砷化镓之后的第三代半导体材料,GaN基蓝、绿光发光二极管已技术成熟并投放市场,在光显示上的应用已使颜
用载流子速率方程分析了高温CW半导体激光器(LD)阈值电流(Ith)与温度(T)的关系.数值计算结果分别给出了与T有关的腔内损耗、双分子复合和俄歇过程以及载流子泄漏效应对Ith的贡献大小.
电子辐射是空间辐射环境的重要组成部分, 也是地面模拟空间辐射环境的重要手段。为了研究半导体激光器在空间辐射环境下应用的可行性, 通过电子加速器的电子辐照模拟空间辐射环境, 以研究半导体激光器总剂量效应
对高功率GaAs/GaAlAs量子阱激光器(808 nm)的低频(100 Hz~20 kHz)电流调制特性进行了实验研究,测量了激光输出功率、接通延迟时间、阈值电流、正脉冲的占空比等与调制频率和调制电
可集成的高速双稳态半导体激光器
电子束扫描激发的半导体激光器
强光注入锁定半导体激光器的理论分析
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