Improvement of Electroactivity of VO2 Nanowires through Langmuir Blodgett Assemb

最大VO2-

0807数据采集技术协议

intermediateaccountingkiesoIFRS2edsolution英文原版的课后答案覆盖ch16-ch24

二氧化钒(VO2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变。第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56%、3.13%、4.69%的原子浓 度掺杂M1相VO2的带隙Eg1降低到0

采用磁控溅射方法在单银Low-E玻璃基底上制备了ASV(Low-E膜系/SiO2/VO2)以及ASVS(Low-E膜系/SiO2/VO2/SiO2)复合膜系,得到可热致变色的近红外隔绝膜系。通过UV-

水热合成W掺杂VO2纳米粉体的研究,刘风娟,叶俊伟,VO2是一种良好的热敏材料,它在68 °C可以发生从低温半导体单斜晶相VO2(M)到高温金属导体相VO2 (R)的可逆转变,这种相变导致VO2的电、

完全封装的VO2 / Au / VO2复合结构的局部表面等离子体共振调制

采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500 °C快速热处理10、15、20 s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20 °C~80 °C温

太赫兹(Terahertz,THz)波位于光子学向电子学的过渡区域,在高速宽带通信、雷达、成像等领域具有重要应用前景。但目前用于THz波动态调控的器件仍比较缺乏,这在一定程度上限制了THz技术的发展。

我们研究了半导体VO2薄膜的太赫兹(THz)传输特性及其在相变后的THz抑制行为。 通过溶胶-凝胶法沉积VO2薄膜,并提出了随着薄膜厚度的增加而发生表面纳米晶化的原位生长。 形态学引起的渗流导致半导体