通过对碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和多值存储原理的研究,提出一种基于CNFET的单端口三值SRAM设计方案。该方案首先利用碳纳米管的多阈值特性设计三值反相器,并采用交叉耦合方式实现三值数据的存储;其次结合读写共用的单端口方法,减少互连线数量;然后采用隔离和切断交叉耦合技术,增强三值数据存储的稳定性;最后通过HSPICE仿真,结果表明所设计的电路逻辑功能正确,且与传统CMOS设计的三值SRAM相比读写速度提高24%。