MMSZ27ET1G的技术参数

产品型号:MBRM120ET3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):20平均整流器前向电流IO(max)(A):1瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.530@1.0A非重复峰值浪涌电流I

产品型号:MBRS410ET3G反向重复峰值电压VRRM(max)(V):10平均整流器前向电流IO(max)(A):4瞬间前向电压VF(max)@IF(V):0.33@4.0A非重复峰值浪涌电流IF

产品型号:MMBZ27VALT1齐纳击穿电压Vz最小值(V):25.650齐纳击穿电压Vz典型值(V):27齐纳击穿电压Vz最大值(V):28.350@Izt(mA):1描述:表面安装双齐纳二极管,共

产品型号:MMQA27VT1雪崩电压VBRmin(V):25.700雪崩电压VBRnom(V):27雪崩电压VBRmax(V):28.400IT(mA):1最大反向漏电流IR(nA):75峰值反向工作

产品型号:NTP27N06G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):46最大漏极电流Id(on)(A):27通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220/-55

产品型号:BZX84C6V2ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):5.800齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.200齐纳击穿电压Vz最大值(V):6.600@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):1

产品型号:BZX84C4V7ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):4.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):4.700齐纳击穿电压Vz最大值(V):5@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):80最大功

产品型号:BZX84C3V3ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):3.100齐纳击穿电压Vz典型值(V):3.300齐纳击穿电压Vz最大值(V):3.500@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):9

产品型号:BZX84C6V8ET1G齐纳击穿电压Vz最小值(V):6.400齐纳击穿电压Vz典型值(V):6.800齐纳击穿电压Vz最大值(V):7.200@Izt(mA):5齐纳阻抗Zzt(Ω):1

产品型号:TLC27L1AID通道数:1关断功能:No工作电压Max. (V):16工作电压Min. (V):3每通道IQ(典型值)(Max.)(mA):0.017带宽(典型值)(MHz):0.085