传统的表面微机械系统,首先在衬底上面生长或淀积一层牺牲层(如磷硅玻璃),然后再淀积一层多晶硅材料,最后通过化学方法腐蚀掉中间的牺牲层,在多晶硅和衬底之间形成了一个空隙或空腔,如图1.16所示。但是,表面牺牲层工艺有很多缺点:(1)实际的多晶硅厚度和空隙间距受到限制,在2~3μm之间。(2)多晶硅的电学特性很差,压敏电阻系数低,p-n结特性差。(3)机械特性重复性差,很难重复,这也是最重要的。为了消除多晶硅材料的这些缺点,可以用单晶硅键合工艺来实现表面微机械系统,得到一个单晶硅层。 图1.16 牺牲层表面微机械 利用硅直接键合技术制备表面微机械系统的典型工艺流程如图1.17所示[36],