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据日本电气公司透露,该公司所属的中心研究室已于1970年10月中旬制成室温连续运转的双异结半导体激光器。目前输出功率约为几十毫瓦,估计将来可以达到100毫瓦。效率在到2%之间,但有可能增加一个数量级。
半导体激光器与单模光纤的耦合研究,分析了影响耦合效率的因素
为了提高GaSb基半导体激光器的功率效率和可靠性,研究了GaSb基半导体激光器欧姆接触形成机理并提出了一种新型四层金属欧姆接触结构(Ni/AuGe/Mo/Au)。进行了Au/Mo/AuGe/Ni/n-
分析了半导体激光器光波经准直透镜的传输特性, 对影响准直光束质量的主要因素作了深入讨论, 并在实验上利用小口径大数值孔径透镜获得了高准直度的光束。
精确测量了半导体激光器远场分布并与新的远场理论模型作了细致的比较。结果表明新模型在很大的角度范围内与测量数据准确地符合。
以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,介绍了考虑能带及波函数的混合效应的6×6 Luttinger-Kohn哈密顿量,提出用有限差分法求解含Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,数
实验研究了质子轰击条形GaAs/GaAlAsDH半导体激光器的像散特性.
本文从范德玻尔(van der Pol)方程出发,导出了描述延迟自差拍法谱宽测量的公式。讨论了各结构参数对测量的影响。报道了用该法对单频半导体激光器测量的一些结果。
本文提出了一种光纤环形腔鉴频的电负反馈压窄线宽半导体激光器新方案,并用1.3μm自聚焦棒外腔InGsAsPBH半导体激光器进行了实验验证。输出光的最窄线宽为850kHz。
到目前为止,报导的只是研制了用电子束横向泵浦的紫外半导体激光器,有用ZnO晶体的(λ=375~379 nm)和用ZnS晶体的(λ=330 nm)。但是,要解决在光栅光学显微术、光学定位术和光电印刷术中
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